In the Press

Nanoelektronik-Entwurf für 3D-Systeme

Mon, 2014/06/30, Found at: Fraunhofer IIS Newsletter 02/2014 http://www.eas.iis.fraunhofer.de/de/veroeffentlichungen/newsletter/2014/needs.ht...

Mit den wachsenden Anforderungen an ihren Funktionsumfang entstehen immer mehr hochintegrierte Elektroniksysteme. In vielen Anwendungsfeldern ermöglichen solche 3D-Mikrochipsysteme Ressourcen- und Kosteneinsparungen. Allerdings sind für sie oftmals bekannte Entwurfsmethoden und Ansätze nicht...

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Dresdner Ingenieure entwickeln innovativen 3D-Entwurfsprozess

Fri, 2014/01/10, Found at: Newsletter Silicon Saxony e.V. http://www.silicon-saxony.de/news/news-detail/archive/2014/january/article/dresd...
Der Dresdner Institutsteil Entwurfsautomatisierung EAS des Fraunhofer-Institutes für Integrierte Schaltungen IIS hat gemeinsam mit weiteren Forschungseinrichtungen und Industriepartnern einen einheitlichen Entwurfsablauf für die Entwicklung von 3D-Systemen erarbeitet. Der neue Ansatz berücksichtigt besonders die Anforderungen des Elektronikmarktes und der industriellen Praxis.

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Forschung: 3D-Elektronik

Wed, 2011/04/20, Found at: Konstruktion & Entwicklung 04/2011, S. 67

Das Clusterforschungsprojekt NEEDS [Nanoelektronik-Entwurf für 3D-Systeme) ist vor kurzem mit dem Ziel an den Start gegangen, eine Entwurfsgrundlage für eine neue Klasse gestapelter komplexer Elektronik zu legen und Forschungsergebnisse für die industriellen Anforderungen zu erproben.
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Silicon Saxony greift NEEDS Pressemeldung auf

Fri, 2011/03/25, Found at: Silicon Saxony Newsletter http://www.silicon-saxony.de/de/Meldung/BMBF_foerdert_Projekt_zur_Erforschung_dr...
BMBF fördert Projekt zur Erforschung dreidimensionaler Chips | 18.03.2011

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Presseberichte zum Start von NEEDS

Tue, 2011/03/15, Found at:
BMBF fördert Projekt zur Erforschung dreidimensionaler Chips

Die Pressemeldung zum Start von NEEDS wurde über folgende Kanäle veröffentlicht:

 

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Entwurf für System-in-Package und 3D-Integration

Tue, 2010/12/21, Found at: Newsletter des Fraunhofer Institut IIS/EAS, 4/2010

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